Número de Producto del Fabricante:
FDP100N10
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDP100N10-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
2970 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947141
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ENVIAR
FDP100N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
159
Otros nombres
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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