Número de Producto del Fabricante:
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
Product Overview
Fabricante:
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Número de pieza:
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1-DG
Descripción:
IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Descripción Detallada:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mbit SPI 50 MHz 8-DFN (5x6)
Inventario:
12361544
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Fabricante
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de memoria
FRAM
Tecnología
FRAM (Ferroelectric RAM)
Tamaño de la memoria
4Mbit
Organización de la memoria
512K x 8
Interfaz de memoria
SPI
Frecuencia del reloj
50 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
-
Voltaje - Suministro
1.8V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5x6)
Número de producto base
MB85RS4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1DKR
MB85RS4MTYPN-G-AWERE1
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
Certificación DIGI
Productos relacionados
S29CD016J0MQFM110
IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
SDIN5B2-32G
IC FLASH 256GBIT EMMC 169TFBGA
MB85RC128PNF-G-JNERE1
IC FRAM 128KBIT I2C 400KHZ 8SOP