Número de Producto del Fabricante:
AUIRFP4310Z
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUIRFP4310Z-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 128A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
12826110
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ENVIAR
AUIRFP4310Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
128A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 77A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
188 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7120 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
INFIRFAUIRFP4310Z
SP001522702
2156-AUIRFP4310Z-IT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTH200N10T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
19
NÚMERO DE PIEZA
IXTH200N10T-DG
PRECIO UNITARIO
4.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFX200N10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFX200N10P-DG
PRECIO UNITARIO
11.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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