Número de Producto del Fabricante:
IMT65R107M1HXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMT65R107M1HXUMA1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET
Descripción Detallada:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
1950 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989069
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ENVIAR
IMT65R107M1HXUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
-
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IMT65R107M1HXUMA1TR
448-IMT65R107M1HXUMA1DKR
SP005716854
448-IMT65R107M1HXUMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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