FDP2532
Número de Producto del Fabricante:

FDP2532

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDP2532-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

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FDP2532 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP25

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDB2532 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-FDP2532-OS
FAIFSCFDP2532

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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