Número de Producto del Fabricante:
FQP3N90
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP3N90-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12846755
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ENVIAR
FQP3N90 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.25Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
910 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP3NK90Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
361
NÚMERO DE PIEZA
STP3NK90Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP3N100P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
273
NÚMERO DE PIEZA
IXTP3N100P-DG
PRECIO UNITARIO
2.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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