Número de Producto del Fabricante:
FQPF10N20
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQPF10N20-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 6.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12846880
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Bico
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQPF10N20 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
FQPF1
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RCX100N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
429
NÚMERO DE PIEZA
RCX100N25-DG
PRECIO UNITARIO
0.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDP030N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF634B-FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA