Número de Producto del Fabricante:
UPA2003C-A
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
UPA2003C-A-DG
Descripción:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
Inventario:
1875 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974873
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ENVIAR
UPA2003C-A Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
7 NPN Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
60V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 350mA, 2V
Potencia - Máx.
900mW
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 75°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivos del proveedor
16-DIP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
299
Otros nombres
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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