Número de Producto del Fabricante:
IRLD110
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRLD110-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
12910741
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ENVIAR
IRLD110 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
540mOhm @ 600mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRLD110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
*IRLD110
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRLD110PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
4444
NÚMERO DE PIEZA
IRLD110PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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